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今年初有报道称⑧，三星将从第10代V-NAND闪存开始①，采用长江存储的专利混合键合技术⑭。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存⑧，预计总层数达到420层至430层▓。除了NAND闪存芯片引入混合键合技术⑧，三星还打算扩展到DRAM芯片⑥。

据EBN报道❸，三星已经将混合键合技术引入到第六代HBM产品⑬，也就是HBM4⑫，早于竞争对手SK海力士②。这不仅显着改善了发热问题⑯，而且还明显提升了I/O数量⑱。随着堆叠层数的增加⑲，需要缩小芯片之间的间隙⑳，引入混合键合技术可以缩小间隙⑫，满足需要更多垂直堆叠层数的HBM产品的生产⑦。

目前SK海力士采用的是MR-RUF技术▓，将半导体芯片附着在电路上▓，使用EMC填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙⑩。相比之下④，三星和美光使用的是TC NCF技术⑰，需要高温高压将材料固化再熔化⑤，然后进行清洗⑨。这个过程涉及2-3个步骤❸，而MR-RUF技术可以在不需要清洗的情况下一步完成整个过程②。

混合键合是一种3D集成技术⑥，使用特殊材料填充和连接芯片⑧，不需要凸块⑦。这种材料类似于液体或胶水②，将提供散热和芯片保护❶，从而实现更薄的整体芯片堆栈⑱。与传统的基于凸块的堆叠相比③，具有更低的电阻和电容⑥、更高的密度②、更好的热性能①、以及更薄的3D堆栈⑦。

不过混合键合技术现阶段也存在一些问题⑧，比如成本较高⑤，所需的专用设备比传统封装工具贵得多▓，并且需要更多的晶圆厂物理空间③。这样会影响资本效率⑯，尤其是在晶圆厂占地面积有限的情况下▓，这也是存储器供应商谨慎行事的主要原因之一⑩，因此SK海力士暂时也只是将混合键合作为备用工艺⑪。

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